適用于氧化鎵晶體的生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010703748.3 申請日 -
公開(公告)號 CN111719180A 公開(公告)日 2020-09-29
申請公布號 CN111719180A 申請公布日 2020-09-29
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 肖迪 申請(專利權(quán))人 江蘇利瀧半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 南京樂羽知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 江蘇利瀧半導(dǎo)體科技有限公司
地址 221300江蘇省徐州市邳州市邳州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)環(huán)城北路北側(cè)、紅旗路東側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種適用于氧化鎵晶體的生長設(shè)備,包括爐體、圓筒、底板、連接桿、氣體排出口、電機、氣缸、固定套、蓋板、通孔、提拉桿、籽晶、晶體、坩堝、托板、方型桿、方孔套、承載桿、承載托球、球體、球罩、限位環(huán)、螺旋彈簧、推桿、固定支架、加熱器和導(dǎo)熱條板。本申請有益之處對坩堝的加熱效果較好,通過彈力壓緊機構(gòu)的設(shè)置,可為加熱器和導(dǎo)熱條板提供壓力,保持與坩堝的接觸,直接進行熱傳遞,通過導(dǎo)熱條板的設(shè)置保障了接觸面,提高了導(dǎo)熱效果;坩堝與電機的連接處設(shè)置了伸縮桿件,之間的距離可調(diào),配合氣缸的設(shè)置,可改變坩堝的高度,便于整體的使用。??