一種氧化鎵單晶閃爍體的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710311112.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107177885B 公開（公告）日 2019-10-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN107177885B 申請(qǐng)公布日 2019-10-18
分類號(hào) C30B29/16;C30B15/14;C30B15/10 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐慧麗;劉波;徐軍;羅平;何諾天;李秋;郭超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇利瀧半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上?？剖⒅R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 同濟(jì)大學(xué)
地址 200092 上海市楊浦區(qū)四平路1239號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氧化鎵單晶閃爍體的制備方法，其為中高壓導(dǎo)模法，具體包括以下步驟：(1)取β?Ga2O3粉末等靜壓壓制成型，燒結(jié)，再放入導(dǎo)模爐鉑銠合金坩堝內(nèi)，同時(shí)，取β?Ga2O3籽晶放入籽晶夾具內(nèi)；(2)導(dǎo)模爐內(nèi)抽真空后，通入高純空氣至7～12bar，緩慢感應(yīng)加熱鉑銠合金發(fā)熱裝置至原料完全熔化，恒溫；(3)繼續(xù)升溫，下降籽晶并進(jìn)行烤籽晶，然后將籽晶充分接觸模具刃口處熔體，依次開始高溫引晶、縮頸、放肩生長、等徑生長；(4)晶體生長結(jié)束后，脫模，冷卻，即得到目的產(chǎn)物氧化鎵單晶閃爍體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明消除了氧化鎵晶體中的多晶、攣晶、開裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰減成分的發(fā)光，能夠獲得高光輸出、快衰減氧化鎵單晶閃爍體等。