一種FLASH存儲器編程電路及其電壓控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510850658.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106816174B 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN106816174B 申請公布日 2021-04-09
分類號 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馬繼榮;張云翔;張玉;唐明 申請（專利權(quán)）人 紫光同芯微電子有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)五道口王莊路1號同方科技廣場D座西樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種FLASH存儲器編程電路及其電壓控制方法；該FLASH存儲器為SST型，編程電路包括一級譯碼電路、二級譯碼選通電路、選通開關(guān)電路、SLBIAS電壓控制電路、鉗位電路和下拉電路；當(dāng)FLASH存儲器處于編程狀態(tài)時，若存儲單元沒有溝道漏電，未被選中的SL電壓為浮空狀態(tài)；若存儲單元有溝道漏電，未被選中的SL電壓被鉗位電路鉗位，SL電壓被限制到MOS晶體管閾值電壓附近，通過襯偏作用抑制存儲單元溝道漏電增大，有效防止未被選中的SL上的漏電發(fā)生；同時，該編程電路電壓控制方法實現(xiàn)簡單，能有效降低芯片功耗，并較少芯片面積。??