一種SRAM單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220309819.2 申請日 -
公開（公告）號 CN202677856U 公開（公告）日 2013-01-16
申請公布號 CN202677856U 申請公布日 2013-01-16
分類號 G11C11/413(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張震 申請（專利權）人 南京申新智能科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 215513 江蘇省蘇州市常熟市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)科創(chuàng)園研究院路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提出一種全新的6管SRAM單元結構，此結構采用讀寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且此結構在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持數(shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持數(shù)據(jù)。仿真顯示了正確的讀寫功能，并且讀寫速度和6管基本相同，但是比普通6管SRAM單元讀寫功耗顯著降低。本實用新型能夠有效的提高靜態(tài)噪聲容限從而增強了存儲單元的穩(wěn)定性，并且極大的降低整體的功耗。