一種半絕緣GaN薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610496530.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107546260A 公開（公告）日 2018-01-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN107546260A 申請(qǐng)公布日 2018-01-05
分類號(hào) H01L29/20(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳振 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西省昌大光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新區(qū)艾溪北路699號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半絕緣GaN薄膜及其制備方法，其中，在該半絕緣GaN薄膜中從下至上依次包括襯底、緩沖層、GaN模板層以及GaN薄膜層，其中，所述GaN薄膜層為摻雜有碳和鐵的半絕緣GaN薄膜層。該半絕緣GaN薄膜品質(zhì)高、純度高，雜質(zhì)的記憶效應(yīng)小，絕緣性能好，能有效的減少器件的漏電流。