一種GaN基電子器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610497031.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN107546207A 公開(kāi)(公告)日 2018-01-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN107546207A 申請(qǐng)公布日 2018-01-05
分類號(hào) H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳振 申請(qǐng)(專利權(quán))人 江西省昌大光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新區(qū)艾溪北路699號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基電子器件及其制備方法,在該GaN基電子器件從下到上依次為:襯底層、緩沖層、模板層、溝道層、勢(shì)壘層、柵漏源金屬層、邦定層以及用于封裝電子器件的封裝體。本發(fā)明提供的GaN基電子器件中芯片和封裝體中的金屬焊盤之間通過(guò)散熱性好的金屬(邦定層)直接連接,散熱性更好;同時(shí)器件有源區(qū)主要靠近上表面,這樣,芯片上表面和封裝體直接相連使得芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量可以被快速傳遞,從而大大提高了電子器件的散熱性能,同時(shí)大大提高了電子器件的工作效率、穩(wěn)定性、可靠性和壽命。