一種基于三NMOS管并聯(lián)的大功率浪涌電壓抑制模塊
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921967609.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211063335U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211063335U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-21 |
| 分類號(hào) | H02H9/04(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 周成龍;張梓超;陳曉薇;薛峰;郭艷輝;劉強(qiáng);趙少瓊;趙煒銘;李子森;蘇醒;黨麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京中北創(chuàng)新科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司專利中心 | 代理人 | 王雪芬 |
| 地址 | 100089北京市海淀區(qū)車道溝10號(hào)院 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種基于三NMOS管并聯(lián)的大功率浪涌電壓抑制模塊，屬于機(jī)載電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型基于多個(gè)NMOS管并聯(lián)，設(shè)計(jì)了一種電路原理簡(jiǎn)單、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、導(dǎo)通電流30A的大功率浪涌抑制模塊，其中通過(guò)在每個(gè)NOMS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極端串接一個(gè)5.1Ω電阻(電阻R1、R2、R3)，消除了三個(gè)NOMS場(chǎng)效應(yīng)管的器件參數(shù)差異的多場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)防振蕩電路設(shè)計(jì)方案，整個(gè)電路原理簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，產(chǎn)品可靠性高，浪涌抑制模塊的通流量大，達(dá)到30A通流量；浪涌抑制模塊導(dǎo)通內(nèi)阻低，發(fā)熱量小，電壓降小。?? |
