陣列基板及該陣列基板的異常修補(bǔ)方法、顯示面板

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210470407.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114755866A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114755866A 申請(qǐng)公布日 2022-07-15
分類號(hào) G02F1/1362（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 謝維聰;鄧健良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518132廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道塘明大道9-2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種陣列基板及該陣列基板的異常修補(bǔ)方法、顯示面板，該陣列基板包括襯底、數(shù)據(jù)線、色阻層以及屏蔽線，屏蔽線設(shè)置于數(shù)據(jù)線上，屏蔽線與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線至少部分重疊設(shè)置，其中，色阻層包括多個(gè)過(guò)孔，過(guò)孔在數(shù)據(jù)線上的正投影至少部分位于對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線內(nèi)，屏蔽線的至少部分分別收容于多個(gè)過(guò)孔內(nèi)；當(dāng)數(shù)據(jù)線異常時(shí)，對(duì)靠近異常處的過(guò)孔進(jìn)行鐳射熔接，同時(shí)將這部分屏蔽線與剩余的另一部分屏蔽線絕緣設(shè)置，利用了現(xiàn)有制程中已有的屏蔽線對(duì)數(shù)據(jù)線的異常進(jìn)行搭接修補(bǔ)，可以減去長(zhǎng)膜修補(bǔ)步驟，用鐳射打點(diǎn)的方式代替，進(jìn)而節(jié)省了長(zhǎng)膜修補(bǔ)耗材，更進(jìn)一步提高了對(duì)數(shù)據(jù)線的異常的修補(bǔ)成功率。