一種鎵摻雜單晶硅用的鎵硅合金制作爐及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010363285.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111424314B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN111424314B 申請公布日 2021-07-20
分類號 C30B29/06;C30B11/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬新星;王藝澄 申請（專利權）人 江蘇美科太陽能科技股份有限公司
代理機構 南京利豐知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 014010 內蒙古自治區(qū)包頭市昆都侖區(qū)金屬深加工園區(qū)拓業(yè)路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鎵摻雜單晶硅用的鎵硅合金制作爐，包括制作爐爐體、合金爐、冷凝機及合金接受槽，合金爐包括爐體及石英坩堝、加熱器、堝邦及堝托，石英坩堝外設有堝邦，石英坩堝的底端通過中空石墨托桿連接有坩堝升降、轉動裝置，爐體的底部還設有中空石英錐，爐體的上端設有合金爐惰性氣體入口，爐體的下端設有合金爐排氣孔；制作爐爐體上表面設有惰性氣體入口，制作爐爐體的下表面設有制作爐排氣孔；該制作爐結構簡單，使用方便，制作鎵硅合金的方法簡單易行，該鎵硅合金的制作有效提高了摻雜加入的可操作性及摻雜及的穩(wěn)定性，提高了生產效率及摻雜準確性，有效減少了鎵金屬被污染或掉落流失而引起的質量風險。