一種直拉單晶硅用加熱器及單晶生長爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201921802643.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN211546715U | 公開(公告)日 | 2020-09-22 |
申請公布號 | CN211546715U | 申請公布日 | 2020-09-22 |
分類號 | C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 關樹軍;羅才軍;趙智強;張偉新;陳輝 | 申請(專利權(quán))人 | 北京京運通科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京京運通科技股份有限公司 |
地址 | 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海四路158號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及直拉單晶硅技術(shù)領域,公開了一種直拉單晶硅用加熱器及單晶生長爐,該直拉單晶硅用加熱器包括圓筒狀的主發(fā)熱體,主發(fā)熱體的筒體上設置有沿周向交替分布的第一縫隙和第二縫隙,第一縫隙與第二縫隙均沿主發(fā)熱體的軸心線方向延伸,且第一縫隙的開口朝向與第二縫隙的開口朝向相反,第一縫隙和第二縫隙將主發(fā)熱體分成多根依次串聯(lián)的發(fā)熱條,第一縫隙和第二縫隙的中間區(qū)域的寬度小于兩端的寬度,以使每根發(fā)熱條中間區(qū)域的寬度大于其兩端的寬度。該直拉單晶硅用加熱器能降低縱向的溫度梯度,進而降低直拉單晶硅中的氧含量,達到減弱直拉單晶硅氧施主效應的目的。?? |
