一種氧化鈦鈍化膜的制備方法及利用該方法制備太陽(yáng)電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710771419.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107634122A 公開(kāi)（公告）日 2018-01-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN107634122A 申請(qǐng)公布日 2018-01-26
分類(lèi)號(hào) H01L31/18;H01L31/0216 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 何堅(jiān);葉繼春;高平奇;凌曌恒;曾俞衡;閆寶杰;肖劍峰;黃志林;夏金才;周建宏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 日地太陽(yáng)能電力股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波市鄞州甬致專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李迎春
地址 315201 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鈦鈍化膜的制備方法，步驟為在預(yù)處理后的硅片表面利用電子束沉積法沉積一定厚度的金屬鈦薄膜，后通入氧氣氣氛退火，再在氮?dú)鈿夥罩欣鋮s即可。利用電子束沉積法沉積金屬鈦薄膜然后直接對(duì)金屬鈦薄膜進(jìn)行氧化形成氧化鈦薄膜，相比于A(yíng)LD/CVD工藝，本發(fā)明所需的設(shè)備要求低，且操作方式和操作流程更加簡(jiǎn)單，便于調(diào)節(jié)金屬鈦薄膜的厚度、氧化工藝以適應(yīng)不同的硅片鈍化需求，同時(shí)該氧化鈦鈍化膜能夠很好地與其他鈍化介質(zhì)層形成疊層從而達(dá)到更佳的鈍化效果；本發(fā)明工藝還適用于熱蒸鍍法、磁控濺射法沉積金屬鈦薄膜；能夠容易地實(shí)現(xiàn)沉積微量活性金屬，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)最終氧化鈦薄膜的摻雜改性。