一種氧化鈦鈍化膜的制備方法及利用該方法制備太陽電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710771419.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107634122A 公開（公告）日 2018-01-26
申請公布號 CN107634122A 申請公布日 2018-01-26
分類號 H01L31/18;H01L31/0216 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何堅;葉繼春;高平奇;凌曌恒;曾俞衡;閆寶杰;肖劍峰;黃志林;夏金才;周建宏 申請（專利權）人 日地太陽能電力股份有限公司
代理機構 寧波市鄞州甬致專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李迎春
地址 315201 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氧化鈦鈍化膜的制備方法，步驟為在預處理后的硅片表面利用電子束沉積法沉積一定厚度的金屬鈦薄膜，后通入氧氣氣氛退火，再在氮氣氣氛中冷卻即可。利用電子束沉積法沉積金屬鈦薄膜然后直接對金屬鈦薄膜進行氧化形成氧化鈦薄膜，相比于ALD/CVD工藝，本發(fā)明所需的設備要求低，且操作方式和操作流程更加簡單，便于調節(jié)金屬鈦薄膜的厚度、氧化工藝以適應不同的硅片鈍化需求，同時該氧化鈦鈍化膜能夠很好地與其他鈍化介質層形成疊層從而達到更佳的鈍化效果；本發(fā)明工藝還適用于熱蒸鍍法、磁控濺射法沉積金屬鈦薄膜；能夠容易地實現(xiàn)沉積微量活性金屬，從而實現(xiàn)對最終氧化鈦薄膜的摻雜改性。