一種中子反射裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020483118.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN211906986U 公開(公告)日 2020-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN211906986U 申請(qǐng)公布日 2020-11-10
分類號(hào) G21K1/06(2006.01)I;G21C11/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 羅鵬;宋文冬;李源;馮冬;李佳瑤;李辰;文一震;馬柯;楊佩;劉禹;李忠良;許滸 申請(qǐng)(專利權(quán))人 陜西秦洲核與輻射安全技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710000陜西省西安市雁塔區(qū)雁翔路99號(hào)西安交大科技園博源科技廣場(chǎng)C座5層502號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及中子物理與輻射防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種中子反射裝置。中子廣泛用于核裂變反應(yīng)、物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析、活化分析等領(lǐng)域。中子損失一直是影響核武器材料利用率、核反應(yīng)堆功率控制、反應(yīng)堆毒物控制、中子的有效屏蔽的一個(gè)重要問題。常用的中子散射材料以原子序數(shù)較低的合金為主,熱中子絕對(duì)反射率不足5%。如何利用中子反射技術(shù)提高中子利用率以及如何提高屏蔽材料的屏蔽效率,一直是個(gè)難題。本實(shí)用新型包括極化中子散射層、中子全反射層和氣體介質(zhì)層,極化中子散射層為PVC鍍鋁麥拉膜,朝向中子入射方向;中子全反射層內(nèi)表面為特氟龍鍍層,空腔內(nèi)注入氬氣形成氣體介質(zhì)層。該裝置可對(duì)熱中子反射率絕對(duì)值可達(dá)44.5%。??