一種IGBT半橋模塊結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121569112.0 申請日 -
公開（公告）號 CN215118895U 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN215118895U 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L23/498（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H02M1/00（2007.01）I;H01C7/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張茹;戎光榮 申請（專利權(quán)）人 煙臺臺芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中創(chuàng)博騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王婷婷
地址 264006山東省煙臺市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)珠江路32號3號樓117
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種IGBT半橋模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括銅基板以及在銅基板上表面設(shè)置的呈上下排列的第一DBC和第二DBC，第一DBC和第二DBC的上表面分別設(shè)置有FRD芯片、IGBT芯片以及將各芯片分隔成單獨(dú)區(qū)域的阻焊層，第一DBC的上表面還焊接有熱敏電阻NTC，其兩側(cè)設(shè)置有刻蝕條。本實(shí)用新型提供的IGBT半橋模塊結(jié)構(gòu)布局簡單，電流分布均勻，并可以在同等封裝結(jié)構(gòu)中放置更大尺寸的IGBT芯片，進(jìn)一步提高模塊的功率密度，阻焊層和刻蝕條設(shè)置均可避免因焊接所引起的位置偏移。