一種BMS使用的集成化MOS模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122886399.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216435895U 公開（公告）日 2022-05-03
申請公布號 CN216435895U 申請公布日 2022-05-03
分類號 H01L25/07（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜維賓;張茹 申請（專利權(quán)）人 煙臺臺芯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京中創(chuàng)博騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王婷婷
地址 264006山東省煙臺市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)珠江路32號3號樓117
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種BMS使用的集成化MOS模塊，包括封裝外殼，所述封裝外殼內(nèi)設(shè)有DBC板以及連接于所述DBC板上的四粒MOS芯片，所述封裝外殼一側(cè)連接有源極端子，所述封裝外殼相對的另一側(cè)連接有漏極端子、柵極端子，所述MOS芯片的正面設(shè)有源極區(qū)域和柵極區(qū)域，所述MOS芯片的背面設(shè)有漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域、柵極區(qū)域、漏極區(qū)域分別通過鍵合絲連接至所述源極端子、柵極端子和漏極端子，所述柵極區(qū)域和柵極端子之間連接有柵極電阻。本實用新型所提供的集成化MOS模塊，系統(tǒng)更小型、集成化，同時散熱效果好，有更高的輸出效率，可降低成本，模塊性能更加穩(wěn)定可靠。