一種IGBT模塊高效散熱結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021756498.1 申請日 -
公開（公告）號 CN212517183U 公開（公告）日 2021-02-09
申請公布號 CN212517183U 申請公布日 2021-02-09
分類號 H01L23/373(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張茹;安勇;張玉佩;臧天程 申請（專利權）人 煙臺臺芯電子科技有限公司
代理機構 北京中創(chuàng)博騰知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 戎德偉
地址 264006山東省煙臺市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)珠江路32號3號樓117
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種IGBT模塊高效散熱結構，包括由IGBT半橋模塊組成的全橋電路，所述IGBT半橋模塊包括DBC板，所述DBC板的背面設有背部焊料層，還包括銅基板和散熱器；所述銅基板的正面涂覆有第一石墨烯覆層，銅基板的背面涂覆有第二石墨烯覆層，銅基板的背面還形成有若干間隔排列溝槽；所述散熱器包括散熱主體，所述散熱主體內(nèi)部形成有容納槽，所述容納槽的底部形成有立方柱，散熱主體的表面形成有散熱翅；所述立方柱插入所述溝槽使銅基板貼合容納槽的底部。本技術方案不需預設弧度，又可防止銅基板反凹變形，散熱面積大，并采用獨立散熱的方式降低相鄰器件擊穿或互相干涉風險。??