一種光刻套刻標(biāo)記及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011500287.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112563246A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563246A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/544(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉新年 |
| 地址 | 517000廣東省河源市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新五路、泥金路西邊 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光刻套刻標(biāo)記及其制備方法。所述制備方法包括以下步驟：步驟S1：制作標(biāo)記點(diǎn)圖形，將標(biāo)記點(diǎn)圖形轉(zhuǎn)移至芯片上，露出外延層；步驟S2：刻蝕外延層；步驟S3：蒸鍍金屬標(biāo)記點(diǎn)，金屬結(jié)構(gòu)為CrAlTiPtAu；CrAlTiPtAu金屬結(jié)構(gòu)是從下往上依次為金屬Cr層、Al層、Ti層、Pt層、Au層；步驟S4：剝離去膠。本發(fā)明提供的方法制備的光刻套刻標(biāo)記抗磨損能力強(qiáng)、分辨率高、不易被腐蝕，受離子的物理轟擊和化學(xué)溶液腐蝕的影響極其輕微；同時(shí)本發(fā)明的金屬標(biāo)記點(diǎn)可以反射光線，使金屬標(biāo)記點(diǎn)更加清楚，提高了對(duì)位精準(zhǔn)度。?? |
