一種垂直結(jié)構(gòu)納米陣列LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810373123.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108831902B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN108831902B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L27/15 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權(quán)）人 河源市眾拓光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭佳利;郭裕彬
地址 517000 廣東省河源市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新五路眾拓光電
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了垂直結(jié)構(gòu)納米陣列LED，包括在襯底上依次復合的底電極層、第一石墨烯層、傘狀GaN納米柱陣列層、P型GaN薄膜、AlxInyGa1?x?yN薄膜、第二石墨烯層和頂電極層；所述第一石墨烯層上復合有圖形化隔離層；其中，x＝0?0.35，y＝0?0.07；所述傘狀GaN納米柱陣列層自核向殼包括依次復合的GaN納米柱芯、n型GaN納米內(nèi)殼和In(Al)GaN納米外殼。該垂直結(jié)構(gòu)納米陣列LED有效解決了外延生長受限的情況，大幅降低生產(chǎn)成本，光效高，性能高。