諧振器及其制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910854492.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110635776A | 公開(公告)日 | 2019-12-31 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110635776A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-31 |
分類號(hào) | H03H3/02(2006.01); H03H9/02(2006.01); H03H9/17(2006.01) | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 王友良; 唐濱; 王家友; 魏濤; 賴志國(guó); 唐兆云; 楊清華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京中科漢天下電子技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 陳紅 |
地址 | 100080 北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路9號(hào)5層508-A | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種諧振器,包括:第一電極,位于基板上;壓電層,位于第一電極上;第二電極,位于壓電層上;框架圖形,位于第二電極與壓電層之間,其中第二電極在框架圖形下方具有側(cè)向突出部以圍繞在框架圖形與壓電層之間的空氣隙。依照本發(fā)明的諧振器,僅采用一次光刻?蝕刻工藝、利用框架結(jié)構(gòu)作為空氣橋的掩模而側(cè)向腐蝕,并利用上電極沉積的側(cè)向填充能力形成有效框架結(jié)構(gòu),減少了與壓電材料接觸的工藝步驟,降低了對(duì)壓電材料的損傷,提高了壓電層表面潔凈度,并解決了光刻對(duì)位偏移對(duì)于框架結(jié)構(gòu)的影響。 |
