靜電防護(hù)裝置及其芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210546072.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103035624B | 公開(公告)日 | 2016-08-03 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103035624B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-08-03 |
分類號(hào) | H01L23/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 葉兆屏;胥小平;朱志牛;沓世我;張富啟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣東風(fēng)華芯電科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 廣東風(fēng)華芯電科技股份有限公司;廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司 |
地址 | 510000 廣東省廣州市蘿崗區(qū)科學(xué)城南翔二路10號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種靜電防護(hù)裝置及使用該靜電防護(hù)裝置的芯片。該靜電防護(hù)裝置包括襯底、形成于襯底上的提供靜電放電電路的靜電防護(hù)元件及形成于靜電防護(hù)元件上的焊盤。靜電防護(hù)元件包括至少一個(gè)電阻或電容,靜電防護(hù)元件與焊盤之間形成多晶硅層,焊盤與多晶硅層之間形成介質(zhì)層。靜電防護(hù)元件的至少一個(gè)電阻或電容由多晶硅層、介質(zhì)層及焊盤提供。該靜電防護(hù)裝置采用多晶硅層、介質(zhì)層及焊盤之間形成的電容與電阻來作為該靜電防護(hù)裝置需要的電容與電阻,從而減小了該靜電防護(hù)裝置所占用的面積,節(jié)省了成本。 |
