輻射探測探頭及其制備方法、輻射探測芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911312863.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110854242A 公開（公告）日 2020-02-28
申請公布號 CN110854242A 申請公布日 2020-02-28
分類號 H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/115;G01T1/15;G01T1/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘華強 申請（專利權）人 廣州蘭泰勝科技有限公司
代理機構 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 代理人 廣州蘭泰勝輻射防護科技有限公司
地址 510665 廣東省廣州市天河區(qū)科韻路78.90號201房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種輻射探測探頭及其制備方法、輻射探測芯片，劑量率小于等于劑量限定值時，通過脈沖模式電路獲取輻射探測探頭的探測信號，其輸出脈沖數與探測信號對應的X/γ光子數相同，通過外部處理器計算得到探測結果；而當劑量率大于劑量限定值，會超過脈沖模式電路計數率上限，此時采用電流模式電路，將測量到的電流轉換為電壓，通過外部處理器計算探測結果。基于此，在實現輻射探測設備的芯片化的同時，通過脈沖讀出模式和電流讀出模式協同工作，實現輻射探測芯片對X/γ輻射的寬量程探測。