n型氮化鎵自支撐襯底的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911407202.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111128688A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111128688A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01L21/02;H01L21/683 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧敬權(quán);何進(jìn)密;任俊杰 申請（專利權(quán)）人 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
地址 523000 廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種n型氮化鎵自支撐襯底的制作方法，包括：在藍(lán)寶石襯底上形成氮化鎵模板層及非摻雜氮化鎵層；剝離藍(lán)寶石襯底，獲得非摻雜薄氮化鎵自支撐襯底；4)去除非摻雜薄氮化鎵自支撐襯底中晶體質(zhì)量最差的底層部分；在非摻雜薄氮化鎵自支撐襯底上外延生長n型氮化鎵層，獲得n型厚氮化鎵自支撐襯底；去除n型厚氮化鎵自支撐襯底底部的非摻雜層；對n型厚氮化鎵自支撐襯底進(jìn)行研磨拋光，獲得n型氮化鎵自支撐襯底。本發(fā)明的n型氮化鎵自支撐襯底的制作方法，在n型厚氮化鎵自支撐襯底具有不同程度翹曲的情況下，可以將n型厚氮化鎵自支撐襯底底部的非摻雜層完全去除，得到n型氮化鎵自支撐襯底。