引流旋轉(zhuǎn)式基片承載裝置及氣相外延設(shè)備
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010566659.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111607784A | 公開（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申請公布號 | CN111607784A | 申請公布日 | 2020-09-01 |
| 分類號 | C23C16/458(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 黃業(yè);劉鵬;王健輝;盧敬權(quán) | 申請（專利權(quán)）人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種引流旋轉(zhuǎn)式基片承載裝置及氣相外延設(shè)備，裝置包括：氣源裝置，用于提供氣相外延的源氣體，源氣體的流動方式包括旋轉(zhuǎn)流動；母盤，位于氣源下方；轉(zhuǎn)動裝置，連接于母盤，以為母盤提供旋轉(zhuǎn)動力；子盤，用于承載基片，子盤通過旋轉(zhuǎn)軸連接于母盤上，子盤邊緣具有渦形流道，用于引導(dǎo)旋轉(zhuǎn)流動的源氣體在渦形流道內(nèi)流動，從而帶動子盤旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明利用源氣體在子盤表面以渦狀線流動方式推動子盤旋轉(zhuǎn)，實現(xiàn)裝置的行星式旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明無需對子盤額外注入氣體，因此，既不會有多余的氣體破壞基片邊緣的氣氛，提高外延片的良率，同時也能節(jié)省高純氣體流量及相關(guān)氣體控制元器件，大大降低設(shè)備的成本。?? |
