氮化鎵自支撐襯底的制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910575283.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112151355A | 公開（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112151355A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-29 |
| 分類號(hào) | H01L21/02;H01L21/683 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 何進(jìn)密;盧敬權(quán);任俊杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000 廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵自支撐襯底的制作方法，包括步驟：1)在藍(lán)寶石襯底上形成氮化鎵模板層；2)第一次外延生長第一氮化鎵層；3)使藍(lán)寶石襯底與氮化鎵模板層分離，獲得薄氮化鎵自支撐襯底；4)去除薄氮化鎵自支撐襯底中晶體質(zhì)量最差的底層部分；5)第二次外延生長第二氮化鎵層，獲得厚氮化鎵自支撐襯底；6)對(duì)厚自支撐襯底進(jìn)行拋光，切邊及倒角，以獲得最終的氮化鎵自支撐襯底。本發(fā)明在第一次外延后，將晶體質(zhì)量最差的底層部分去除，并在去除后進(jìn)行第二次外延，可在第二次外延加厚的過程中有效降低位錯(cuò)密度，從而減少氮化鎵自支撐襯底的應(yīng)力，降低第二次外延加厚過程的裂片率，提升自支撐襯底的整體制作良率。 |
