氮化鎵單晶襯底的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010437129.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111681946A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111681946A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 盧敬權(quán);莊文榮;孫明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵單晶襯底的制備方法，包括：1)提供一氮化鎵模板，包括藍(lán)寶石襯底、緩沖層、第一非摻雜或摻雜氮化鎵層、超晶格量子阱層及第二非摻雜或摻雜氮化鎵層；2)采用氫化物氣相外延方法在氮化鎵模板上外延生長(zhǎng)第一氮化鎵層；3)采用激光剝離方法將氮化鎵模板中的藍(lán)寶石襯底剝離，獲得薄氮化鎵單晶襯底；4)采用氫化物氣相外延方法在薄氮化鎵單晶襯上外延生長(zhǎng)第二氮化鎵層，獲得厚氮化鎵單晶襯底；5)將厚氮化鎵單晶襯底進(jìn)行研磨拋光，獲得氮化鎵單晶襯底。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置超晶格量子阱層，可以有效降低氮化鎵單晶襯底與藍(lán)寶石襯底之間的晶格失配，有效降低或避免氮化鎵單晶襯底的翹曲，提高器件性能。?? |
