氮化鎵單晶襯底的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010437129.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111681946A | 公開（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申請公布號 | CN111681946A | 申請公布日 | 2020-09-18 |
| 分類號 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 盧敬權;莊文榮;孫明 | 申請（專利權）人 | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵單晶襯底的制備方法，包括：1)提供一氮化鎵模板，包括藍寶石襯底、緩沖層、第一非摻雜或摻雜氮化鎵層、超晶格量子阱層及第二非摻雜或摻雜氮化鎵層；2)采用氫化物氣相外延方法在氮化鎵模板上外延生長第一氮化鎵層；3)采用激光剝離方法將氮化鎵模板中的藍寶石襯底剝離，獲得薄氮化鎵單晶襯底；4)采用氫化物氣相外延方法在薄氮化鎵單晶襯上外延生長第二氮化鎵層，獲得厚氮化鎵單晶襯底；5)將厚氮化鎵單晶襯底進行研磨拋光，獲得氮化鎵單晶襯底。本發(fā)明通過設置超晶格量子阱層，可以有效降低氮化鎵單晶襯底與藍寶石襯底之間的晶格失配，有效降低或避免氮化鎵單晶襯底的翹曲，提高器件性能。?? |
