基于藍(lán)寶石襯底的HEMT的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011078663.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112216610A 公開（公告）日 2021-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112216610A 申請(qǐng)公布日 2021-01-12
分類號(hào) H01L21/335;H01L21/683;H01L21/50;H01L23/373 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莊文榮;盧敬權(quán) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
地址 523000 廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于藍(lán)寶石襯底的HEMT的制備方法，包括步驟：1)提供藍(lán)寶石襯底，于藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)GaN外延層；2)將GaN外延層鍵合至高導(dǎo)熱基底上；3)剝離藍(lán)寶石襯底，以顯露GaN外延層的剝離面；4)對(duì)剝離面進(jìn)行拋光處理，獲得GaN拋光表面；5)基于GaN拋光表面完成GaN基HEMT結(jié)構(gòu)層的外延生長(zhǎng)。本發(fā)明采用藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)GaN，襯底成本較低，且可以有效提高HEMT結(jié)構(gòu)層的晶體質(zhì)量；本發(fā)明可以有效提高HEMT的良率，同時(shí)解決了藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱不足的缺陷，使得HEMT可以工作于較大功率的條件下。