氮化鎵單晶襯底的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010646770.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111769036A | 公開（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111769036A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 盧敬權(quán);莊文榮;孫明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵單晶襯底的制備方法，包括步驟：1)提供一藍(lán)寶石襯底，在藍(lán)寶石襯底上形成氮化鎵模板層；2)提供一轉(zhuǎn)移基板及一鍵合層，鍵合層具有液態(tài)形態(tài)與固態(tài)形態(tài)的轉(zhuǎn)換，采用鍵合層將轉(zhuǎn)移基板與氮化鎵模板層鍵合；3)剝離氮化鎵模板層與藍(lán)寶石襯底；4)將鍵合層轉(zhuǎn)換為液態(tài)形態(tài)，并于剝離后的氮化鎵模板層上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，以獲得加厚的氮化鎵單晶襯底。本發(fā)明通過鍵合層將轉(zhuǎn)移基板與氮化鎵模板層鍵合，該鍵合層具有液態(tài)形態(tài)與固態(tài)形態(tài)的轉(zhuǎn)換，在外延生成氮化鎵單晶過程中，鍵合層處于液態(tài)形態(tài)，使氮化鎵模板層處于自由態(tài)，能夠有效釋放應(yīng)力及緩解熱失配，解決生產(chǎn)過程引起的應(yīng)力積累、晶片翹曲的問題。?? |
