一種修復(fù)PERC太陽(yáng)能電池背膜激光開(kāi)槽損傷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910982137.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110739366B 公開(kāi)（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN110739366B 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類(lèi)號(hào) H01L31/18;H01L31/068 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈永臻;樓秀群;徐義蘭;林綱正;陳剛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 興業(yè)銀行股份有限公司義烏分行
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 胡楓;李素蘭
地址 322009 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種修復(fù)PERC太陽(yáng)能電池背膜激光開(kāi)槽損傷的方法，其在背面開(kāi)槽之后，將硅片置入熱處理設(shè)備，所述熱處理設(shè)備包括高溫激活區(qū)和低溫修復(fù)區(qū)，所述硅片在高溫激活區(qū)內(nèi)進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶鹛幚?，以增加硅基底的整體晶格熱運(yùn)動(dòng)；然后在低溫修復(fù)區(qū)內(nèi)進(jìn)行低溫?zé)嵬嘶鹛幚?，以使硅基底重結(jié)晶?；坠柙诮?jīng)過(guò)高溫激活?低溫重結(jié)晶的過(guò)程后使得基底硅激光損傷區(qū)得到明顯的修復(fù)，從而減少由于激光損傷造成的復(fù)合損失，增加了開(kāi)路電壓Voc，進(jìn)而提高PERC太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。