一種修復(fù)PERC太陽(yáng)能電池背膜激光開(kāi)槽損傷的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910982137.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110739366B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-06-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110739366B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
分類(lèi)號(hào) | H01L31/18;H01L31/068 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 沈永臻;樓秀群;徐義蘭;林綱正;陳剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 興業(yè)銀行股份有限公司義烏分行 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 胡楓;李素蘭 |
地址 | 322009 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種修復(fù)PERC太陽(yáng)能電池背膜激光開(kāi)槽損傷的方法,其在背面開(kāi)槽之后,將硅片置入熱處理設(shè)備,所述熱處理設(shè)備包括高溫激活區(qū)和低溫修復(fù)區(qū),所述硅片在高溫激活區(qū)內(nèi)進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶鹛幚?,以增加硅基底的整體晶格熱運(yùn)動(dòng);然后在低溫修復(fù)區(qū)內(nèi)進(jìn)行低溫?zé)嵬嘶鹛幚?,以使硅基底重結(jié)晶?;坠柙诮?jīng)過(guò)高溫激活?低溫重結(jié)晶的過(guò)程后使得基底硅激光損傷區(qū)得到明顯的修復(fù),從而減少由于激光損傷造成的復(fù)合損失,增加了開(kāi)路電壓Voc,進(jìn)而提高PERC太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。 |
