一種鈦管表面種植金剛石微晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610554633.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106011776B 公開（公告）日 2018-09-21
申請公布號 CN106011776B 申請公布日 2018-09-21
分類號 C23C16/02;C23C16/27;C02F1/461 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 潘凡峰 申請（專利權(quán)）人 上海開山中夏節(jié)能環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 上海容慧專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海開山中夏節(jié)能科技有限公司
地址 201102 上海市閔行區(qū)平陽路258號一層J1177室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鈦管表面種植金剛石微晶的方法。CVD法是制備金剛石電極的通用方法，制備出大面積金剛石電極的關(guān)鍵是基材表面種植均勻的、結(jié)合力強的金剛石微晶，成為CVD工藝中的晶種。本發(fā)明的方法是利用基材鈦與金剛石不同的熱膨脹系數(shù)，在600～800℃的高溫下，用機械研磨法種植金剛石微晶。