一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置及其封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110455127.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113193146A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN113193146A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L51/52;H01L27/32 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 茆勝 | 申請(專利權(quán))人 | 睿馨(珠海)投資發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海洞鑒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉少偉 |
地址 | 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-32897(集中辦公區(qū)) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置及其封裝方法,其封裝結(jié)構(gòu)包括:基板,設(shè)置有有機(jī)發(fā)光二極管器件;第一ALD層、第一無機(jī)介電層、第二ALD層,所述第一ALD層設(shè)置在所述基板上,所述第一無機(jī)介電層設(shè)置在所述第一ALD層上,所述第二ALD層設(shè)置在所述第一無機(jī)介電層上;所述第一ALD層、第二ALD層由鋁、鉿、鈦,鋯、硅的氧化物或者氮化物構(gòu)成;所述第一無機(jī)介電層由金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物通過濺射方式形成。有益效果是:本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)含有至少兩個(gè)氧化物或氮化物層,以及夾在中間的無機(jī)介電層,該種結(jié)構(gòu)的結(jié)合,使得水氧封裝結(jié)構(gòu)中的滲透率非常低,提高了封裝效果。 |
