一種高分辨率AMLOED顯示器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110453502.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113193022A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113193022A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 茆勝 申請（專利權）人 睿馨（珠海）投資發(fā)展有限公司
代理機構 上海洞鑒知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉少偉
地址 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-32897（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高分辨率AMLOED顯示器件及其制備方法，其中，制備方法，包括以下步驟：在每個像素的子像素區(qū)域蒸鍍沉積一定厚度的薄膜為金屬陽極層；在所述金屬陽極層的頂部蒸鍍沉積一定厚度的薄膜為有機發(fā)光層；所述有機發(fā)光層的位置及圖形均與之對應的金屬陽極層的位置及圖形相同；所述蒸鍍沉積工藝采用通過高分辨率掩膜版完成的。有益效果是：采用金屬陽極層直接圖形化，降低了OLED微型顯示器件的工藝復雜度，無需再采用光刻或刻蝕工藝引入額外的工藝步驟；保持了金屬陽極層表面的高反射狀態(tài)；同時可以實現OLED微型顯示器件在制造過程中，為紅、綠、藍OLED像素定制獨立的陽極結構，實現每種顏色的定制化和優(yōu)化的OLED器件結構，提高發(fā)光效。