一種晶振模塊、蒸鍍系統(tǒng)、及其蒸鍍方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110455247.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113621932A 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113621932A 申請公布日 2021-11-09
分類號 C23C14/54（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 茆勝 申請（專利權(quán)）人 睿馨（珠海）投資發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 上海洞鑒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉少偉
地址 519000廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-32897（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶振模塊、蒸鍍系統(tǒng)、及其蒸鍍方法，其中，晶振模塊包括：晶振探頭，以及移動組件，所述晶振探頭安裝在所述移動組件上，所述移動組件在水平或豎直方向上往復(fù)移動，并帶動所述晶振探頭遠(yuǎn)離或靠近蒸發(fā)源。有益效果是：對于材料沉積速率較大的情況，由于晶振探頭到坩堝出口的距離增大，沉積到晶振探頭上的材料減少，有效延長了晶振探頭的使用時間，減少了更換晶振探頭的頻率，能降低生產(chǎn)成本并提高生產(chǎn)效率；對于材料沉積速率較小的情況，由于晶振探頭到坩堝出口的距離縮小，沉積到晶振探頭上的材料增加，有效提升了晶振探頭的測量精度，能提高工藝控制精度和工藝穩(wěn)定性，從而提高產(chǎn)品性能及良率。