一種基于CuAlO
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010574078.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111668326A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111668326A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-15 |
| 分類號(hào) | H01L31/0336(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡繼超;李丹丹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 三立智能電氣有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人 | 西安潤(rùn)維信息技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 710000陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路125號(hào)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園A棟11樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種CuAlO2/SiC紫外光電二極管，包括頂電極和底電極，兩電極之間由頂電極向底電極方向依次設(shè)置有P型晶體CuAlO2薄膜、I型SiC薄膜和N型SiC襯底，本發(fā)明還公開(kāi)了一種CuAlO2/SiC紫外光電二極管的制備方法，首先對(duì)N型SiC襯底進(jìn)行清洗，清洗后吹干待用；在清洗后的N型SiC襯底上進(jìn)行本征SiC同質(zhì)外延層生長(zhǎng)；在本征SiC同質(zhì)外延層上進(jìn)行P型晶體CuAlO2異質(zhì)外延層生長(zhǎng)；在P型晶體CuAlO2異質(zhì)外延層上制作頂電極；對(duì)N型SiC襯底下表面制作底電極，最終形成CuAlO2/SiC紫外光電二極管，本發(fā)明具有良好的光電響應(yīng)，穩(wěn)定性好，反應(yīng)靈敏，加工工藝重復(fù)性好。?? |
