一種新型PECVD等離子設(shè)備智能藥水配比系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920897168.5 申請日 -
公開（公告）號 CN210287521U 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN210287521U 申請公布日 2020-04-10
分類號 C23C16/50;C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊福年;鄭錫文 申請（專利權(quán)）人 東莞市和域戰(zhàn)士納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市啟信展華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馮蓉
地址 518000 廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道清華社區(qū)龍觀東路43號力勁廠2棟2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種新型PECVD等離子設(shè)備智能藥水配比系統(tǒng)，包括一個(gè)PECVD等離子設(shè)備真空倉體、兩個(gè)第一藥水蒸發(fā)罐、一個(gè)第二藥水蒸發(fā)罐、一真空泵組，在PECVD等離子設(shè)備真空倉體的外周配設(shè)了多個(gè)藥水蒸發(fā)罐，這些藥水蒸發(fā)罐通過各自對應(yīng)的多個(gè)接口與PECVD等離子設(shè)備真空倉體相連，且這些接口在PECVD等離子設(shè)備真空倉體上是均勻分布的，從而使得多種藥水蒸發(fā)罐蒸發(fā)出的等離子氣體在PECVD等離子設(shè)備真空倉體上均勻分布。同時(shí)，還配設(shè)有真空泵組，真空泵組與PECVD等離子設(shè)備真空倉體的兩個(gè)以上的第三接口相接，相對于傳統(tǒng)只有一個(gè)接口，兩個(gè)以上的第三接口使得抽真空更為快速，再配置真空角閥和碟閥，用于與控制中心連接，實(shí)現(xiàn)智能控制。