一種納米處理時(shí)端口快速遮蔽裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920095124.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN209873091U | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-12-31 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN209873091U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-31 |
分類號(hào) | C23C16/04(2006.01); C23C16/513(2006.01) | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 楊福年; 鄭錫文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 東莞市和域戰(zhàn)士納米科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市智圈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 東莞市和域戰(zhàn)士納米科技有限公司 |
地址 | 523000 廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)宏業(yè)北路99A16號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種納米處理時(shí)端口快速遮蔽裝置,包括與端口接觸的基體,基體的下表面向內(nèi)凹陷形成有凹槽,凹槽的基面中心向下凸起形成有凸臺(tái),凸臺(tái)的中心形成有用于PECVD真空鍍膜納米處理的孔洞,基體為圓柱體型,凹槽、凸起、孔洞的橫截面均為圓形,該端口快速遮蔽裝置整體是由氟橡膠混煉硫化一體成型而得。本實(shí)用新型有益于PECVD真空納米防水鍍膜處理遮蔽時(shí)納米分子與端口接觸避免外觀變色,防止端口損傷,也降低了成本,易于裝配,遮蔽效果好,克服了目前一直難以解決的端口納米防水處理的外觀瑕疵和不良品問(wèn)題。 |
