一種硅襯底上外延含Ga氮化物薄膜的疊層掩模方法和外延生長方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910706402.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112309841A | 公開（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申請公布號 | CN112309841A | 申請公布日 | 2021-02-02 |
| 分類號 | H01L21/205(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京颶芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邱曉鋒 |
| 地址 | 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號B座9層909室320號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種硅襯底上外延含Ga氮化物薄膜的疊層掩模方法和外延生長方法。該疊層掩模方法將三維疊層掩模的底層窗口的寬度變窄，使得所述底層窗口露出的用于成核的硅襯底的橫向尺寸接近于含Ga氮化物最初形成的原子島的尺寸。優(yōu)選地，所述底層窗口的寬度為10～50nm。本發(fā)明減少了Si襯底上外延含Ga氮化物薄膜需要AlN預(yù)制層的工藝步驟，從而節(jié)省了時間，提高了生產(chǎn)效率，提高了產(chǎn)品良率，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的高質(zhì)量材料生長技術(shù)在含Ga氮化物產(chǎn)業(yè)具有重要的應(yīng)用價值。?? |
