一種基于疊層掩模襯底的襯底剝離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910706403.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112301422A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112301422A 申請公布日 2021-02-02
分類號 C30B25/04(2006.01)I; 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 申請（專利權）人 北京颶芯科技有限公司
代理機構 北京君尚知識產權代理有限公司 代理人 邱曉鋒
地址 100190北京市海淀區(qū)中關村大街18號B座9層909室320號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于疊層掩模襯底的襯底剝離方法。該方法包括：1)使用MOCVD技術在三維疊層掩模襯底上生長III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技術在所述連續(xù)薄膜上生長III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通過冷卻在三維疊層掩模襯底和III族氮化物材料厚膜之間產生應力，從而實現(xiàn)自分離。采用本發(fā)明方法，由于與襯底的弱連接性，可以在冷卻過程中與襯底自分離，避免了使用激光剝離等昂貴技術，節(jié)省了工藝步驟和時間，顯著提高了生產良率，提高了產品質量；采用的特制三維疊層掩模襯底能夠配合MOCVD生長出高質量的薄膜，進而能夠通過HVPE外延出高晶體質量的厚膜。??