一種基于立體掩模襯底的MicroLED制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010504542.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111785813A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111785813A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-16 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京颶芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京颶芯科技有限公司 |
| 地址 | 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號(hào)B座9層909室320號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于立體掩模襯底的MicroLED制備方法。該方法在異質(zhì)襯底上制備立體掩模層；在所述異質(zhì)襯底上利用所述立體掩模層外延生長(zhǎng)III族氮化物材料；在所述III族氮化物材料上外延生長(zhǎng)MicroLED結(jié)構(gòu)層。該方法針對(duì)立體掩模襯底的特點(diǎn)和MicroLED較高的晶體質(zhì)量要求，在立體掩模襯底上生長(zhǎng)過(guò)程中，在溝道生長(zhǎng)階段插入預(yù)置應(yīng)力層；在電極制作過(guò)程中使用SiNx替代常用的SiO2作為絕緣保護(hù)層；使用濕法腐蝕方法剝離襯底；采用KOH溶液處理MicroLED的底部以提高出光效率。?? |
