一種基于立體掩模襯底的半導(dǎo)體激光器制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010505086.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111653934A 公開（公告）日 2020-09-11
申請公布號 CN111653934A 申請公布日 2020-09-11
分類號 H01S5/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 申請（專利權(quán)）人 北京颶芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京颶芯科技有限公司
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號B座9層909室320號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于立體掩模襯底的半導(dǎo)體激光器制備方法。該方法在異質(zhì)襯底上制備立體掩模層，所述立體掩模層包括第一層掩模、第二層掩模和位于第一層掩模、第二層掩模之間的中間填充層，所述第一層掩模的窗口與所述第二層掩模的窗口錯開一定距離；在所述異質(zhì)襯底上利用所述立體掩模層外延生長III族氮化物材料；在所述III族氮化物材料上外延生長激光器結(jié)構(gòu)層。本發(fā)明能夠在價格低廉的藍寶石、Si等襯底上，配合有限步驟的簡單工藝和生長步驟即可獲得用于GaN基激光器外延的高質(zhì)量襯底，顯著降低了半導(dǎo)體激光器的制作成本，縮減了工藝步驟，提高了半導(dǎo)體激光器的制作效率。??