一種雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構及其制備方法和外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910706284.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112309828A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112309828A 申請公布日 2021-02-02
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 申請（專利權）人 北京颶芯科技有限公司
代理機構 北京君尚知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 邱曉鋒
地址 100190北京市海淀區(qū)中關村大街18號B座9層909室320號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構及其制備方法和外延生長方法，屬于光電子技術領域。該雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構，包括一襯底，襯底上依次設有底層掩模層、頂層掩模層，頂層掩模層通過介質(zhì)層與底層掩模層連接；底層掩模層設有周期性分布的底層窗口，頂層掩模層設有周期性分布的頂層窗口；每一個頂層窗口對應兩個底層窗口，該兩個底層窗口對稱分布在其對應的頂層窗口的兩側(cè)。本發(fā)明同時提供了該襯底結(jié)構的制備方法以及基于該結(jié)構的外延層生長方法。本發(fā)明能消除由于晶格傾轉(zhuǎn)帶來的相鄰條形合并形成的臺階，從而生長出大面積平整的高質(zhì)量側(cè)向外延氮化鎵薄膜材料，對后續(xù)在此基礎上進行大量的器件外延工作有非常關鍵的作用。??