利用電子阻擋層提高發(fā)光效率的氮化物發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210012497.X 申請日 -
公開（公告）號 CN102544285B 公開（公告）日 2015-12-09
申請公布號 CN102544285B 申請公布日 2015-12-09
分類號 H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊薇;胡曉東;若比鄰;李磊 申請（專利權(quán)）人 北京颶芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張肖琪
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了利用電子阻擋層提高發(fā)光效率的氮化物發(fā)光器件。本發(fā)明的發(fā)光器件具有非均勻且非周期摻鋁，Al的組分變化的電子阻擋層。本發(fā)明同時有效地解決了提高發(fā)光效率的兩個關(guān)鍵問題，即減小空穴遂穿的勢壘以及提高空穴的注入效率；另外，避免了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)在量子壘和電子阻擋層界面形成寄生電子反型層。而多層結(jié)構(gòu)在阻擋電子的效果上更加明顯，使得電子和空穴兩種載流子在有源層各個量子阱之中的分布更加平衡和均勻，從而獲得更加均勻的光增益。因此本發(fā)明的發(fā)光器件可以有效地克服寄生量子阱現(xiàn)象，具有更小的閾值電流。而且，波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上具有更高的光學(xué)限制因子而獲得更強的發(fā)光強度，因此可以同時改善激光器的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。