一種防止側(cè)向外延III族氮化物材料背面被刻蝕的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910706285.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110556287A 公開（公告）日 2019-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110556287A 申請(qǐng)公布日 2019-12-10
分類號(hào) H01L21/02（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉蓉; 鄭燁琳; 馮筱; 陳明蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京颶芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京颶芯科技有限公司
地址 100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號(hào)B座9層909室320號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種防止側(cè)向外延III族氮化物材料背面被刻蝕的方法。該方法使用特定條件的SOG工藝制備三維圖形疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)中的SiO2填充層，使得制備的襯底表面不再有凹槽，防止底層掩模窗口形成的凹槽傳遞到頂層掩模中，從而在外延生長過程中防止氫氣從背面刻蝕已經(jīng)生長的GaN等III族氮化物材料。本發(fā)明還提供了采用SOG工藝制備三維圖形疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明可以解決疊層襯底側(cè)向外延GaN等III族氮化物材料過程中背面被載氣氫氣刻蝕的問題，從而提高晶體質(zhì)量和合攏后的表面平整度，顯著提高了生產(chǎn)的良率，降低了外延生長的難度。