一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)及其制備和外延層生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110397590.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102492986B 公開（公告）日 2014-05-28
申請公布號 CN102492986B 申請公布日 2014-05-28
分類號 C30B25/18(2006.01)I;C30B25/04(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李磊;胡曉東;劉培基;謝亞宏;李丁;賀永發(fā);楊志堅;張國義 申請（專利權(quán)）人 北京颶芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京大學(xué);北京颶芯科技有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)及其制備和外延層生長方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。本襯底結(jié)構(gòu)包括一襯底，襯底上依次設(shè)有底層掩膜層、頂層掩膜層；其中，底層掩膜層設(shè)有周期性分布的條形窗口，頂層掩膜層上設(shè)有周期性分布的“十”字形窗口，“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；頂層的“工”字形頂層掩膜區(qū)兩端通過分立的介質(zhì)層與底層掩膜層的條形掩膜區(qū)連接；頂層“十”字形窗口與底層條形窗口相互錯開。本發(fā)明同時提供了該襯底結(jié)構(gòu)的制備方法以及基于該結(jié)構(gòu)的外延層生長方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種一步法異質(zhì)外延的襯底結(jié)構(gòu)，簡化了生長工序，同時提高了無位錯外延膜的有效寬度，更具有使用價值。