一種3D疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法和外延生長(zhǎng)方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910706418.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112301325A | 公開(公告)日 | 2021-02-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112301325A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-02 |
分類號(hào) | C23C16/34(2006.01)I; | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京颶芯科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邱曉鋒 |
地址 | 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號(hào)B座9層909室320號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種3D疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法和外延生長(zhǎng)方法,屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。本襯底結(jié)構(gòu)包括一襯底,襯底上依次設(shè)有底層掩模層、頂層掩模層;其中,底層掩模層設(shè)有周期性分布的特殊圖形窗口,分別可以是條形、正三角形、和正六邊形(在平面內(nèi)的對(duì)稱性是與六方晶系III族氮化物材料如GaN材料的晶體對(duì)稱性一致或其子集的圖形);頂層掩模層與底層圖形周期相同,但相互錯(cuò)開。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供了一種更優(yōu)化的圖形設(shè)計(jì),同時(shí)提高了無(wú)位錯(cuò)外延膜的有效寬度,更具有使用價(jià)值,能夠制備鋪滿整個(gè)襯底表面的連續(xù)平整的高質(zhì)量外延層III族氮化物薄膜,能夠更充分的兼容后續(xù)器件工藝。?? |
