增強(qiáng)低阻氯堿電解槽隔膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911417931.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111188060A 公開(kāi)(公告)日 2020-05-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN111188060A 申請(qǐng)公布日 2020-05-22
分類(lèi)號(hào) C25B13/08;C25B13/02;C25B1/46 分類(lèi) 電解或電泳工藝;其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 張永明;雷建龍;薛帥;劉烽;王麗;戴瓊;陳靜;屈凌波 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 山東東岳高分子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 山東東岳未來(lái)氫能材料有限公司;山東東岳高分子材料有限公司;山東東岳未來(lái)氫能材料股份有限公司
地址 256401 山東省淄博市桓臺(tái)縣唐山鎮(zhèn)東岳氟硅材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)低阻氯堿電解槽隔膜及其制備方法,屬于離子交換膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的電解槽隔膜,包括基膜,基膜的兩面設(shè)有功能表面涂層,基膜由全氟磺酸聚合物層和全氟羧酸聚合物層組成,全氟磺酸聚合物層內(nèi)設(shè)有增強(qiáng)材料網(wǎng),全氟磺酸聚合物層內(nèi)設(shè)有鏤空隧道;功能表面涂層為全氟離子聚合物構(gòu)成的多孔粗糙結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的電解槽隔膜,不僅降低了膜體電阻,有利于離子的快速傳導(dǎo),而且降低了膜表面對(duì)氣泡的粘附力,還提高了膜表面的有效電解面積,減少了局部極化現(xiàn)象,適合在新型高電流密度條件下的零極距電解槽中運(yùn)行,可顯著降低槽電壓,降低能耗;本發(fā)明同時(shí)提供了簡(jiǎn)單易行的制備方法。