一種低壓低溫單片式工藝外延機臺

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022492913.3 申請日 -
公開（公告）號 CN213635911U 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN213635911U 申請公布日 2021-07-06
分類號 H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦 申請（專利權）人 南京原磊納米材料有限公司
代理機構 北京專贏專利代理有限公司 代理人 于剛
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號12幢305
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型適用于半導體硅鍺外延設備領域，具體是一種低壓低溫單片式工藝外延機臺，包括：石英反應腔，在石英反應腔四周加設有多組反射板，而反射板利用上下包圍分布在石英反應腔四周的環(huán)形的加熱燈泡組對石英反應腔加熱，其中，加熱燈泡組中包含有環(huán)形燈絲；以及，反射板利用其表面鋪設有的反射涂層對加熱燈泡組發(fā)出的熱量進行反射，并把熱量全覆蓋無死角集中至石英反應腔中；石英反應腔進行工作時，反射板利用反射涂層反射加熱燈泡組發(fā)出的熱量，并把熱量集中至石英反應腔中，進行加熱，通過調控多組反射板以及安裝在反射板內部的加熱燈泡組，來調控加熱功率，來達到溫度均勻性的效果；提高發(fā)光效率和熱穩(wěn)定性。