光懸浮區(qū)熔定向凝固法制備鎳基單晶高溫合金

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410036130.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103757704A 公開（公告）日 2014-04-30
申請公布號 CN103757704A 申請公布日 2014-04-30
分類號 C30B29/52(2006.01)I;C30B21/04(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳光;周雪峰;王建成;李培源;李沛 申請（專利權(quán)）人 南京鼎正新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京理工大學(xué)專利中心 代理人 南京理工大學(xué);江蘇?。ǖり枺└咝阅芎辖鸩牧涎芯吭?南京鼎正新材料科技有限公司;南京一甲新材料科技有限公司
地址 210094 江蘇省南京市孝陵衛(wèi)200號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種光懸浮區(qū)熔定向凝固法制備鎳基單晶高溫合金的方法。采用光懸浮區(qū)域熔化定向凝固法制備鎳基單晶高溫合金，通過紅外光導(dǎo)溫度測試儀測量溫度。操作過程為：將長度分別為60-100mm和30-50mm長的試棒分別固定在光加熱懸浮區(qū)域熔煉設(shè)備上、下兩端，抽真空至3×10-3Pa，以5mL/min通流動氬氣，并使上、下兩試棒以20-30r/min的相反方向旋轉(zhuǎn)，打開加熱電源以10-15℃/分的升溫速率升溫至1450-1500℃，保溫3-5分，將試棒上下兩端接合，以1-5mm/h的速度進(jìn)行抽拉，制備單晶。