AlN單晶薄膜生長方法及具有該薄膜的聲表面波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010954072.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112038217B 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN112038217B 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李紅浪;柯亞兵 申請（專利權）人 廣東廣納芯科技有限公司
代理機構 上海專利商標事務所有限公司 代理人 張鑫
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號D棟1004室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種AlN單晶薄膜的生長方法，在硅酸鎵鑭類單晶上生長AlN單晶薄膜，所述硅酸鎵鑭類單晶的取向相對于AlN單晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范圍內。該方法顯著提高沉積的AlN單晶薄膜的質量，提高單晶衍射峰的半高寬和薄膜的均勻一致性，有利于提高器件的性能。