生長單一晶向氮化鎵材料的方法和復(fù)合襯底

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210204788.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114582711A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114582711A 申請公布日 2022-06-03
分類號 H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈傳宇;張國義;孫永健;陸羽 申請（專利權(quán)）人 北京大學(xué)東莞光電研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李秋梅
地址 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了在氮化鋁陶瓷基板上生長單一晶向氮化鎵材料的方法和復(fù)合襯底，該方法包括如下步驟：在氮化鋁陶瓷基板上制備氮化鋁成核層，得到氮化鋁陶瓷基板復(fù)合襯底；將所述氮化鋁陶瓷基板復(fù)合襯底放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延設(shè)備進(jìn)行外延生長，生長得到具有單一晶向氮化鎵材料的復(fù)合襯底，所述復(fù)合襯底包括從下到上依次層疊設(shè)置的氮化鋁成核層、低溫氮化鎵成核層、高溫氮化鎵合并層和高溫氮化鎵外延層；本發(fā)明在氮化鋁陶瓷基板外延上生長單一晶向氮化鎵材料，由于氮化鋁陶瓷基板是高阻材料且具有優(yōu)良的散熱性能，可制備高耐壓電子功率器件，有效彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中在硅襯底上制備氮化鎵外延材料而只能制備低耐壓電子功率器件的缺陷。