一種超薄氮化鎵肖特基二極管材料結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111630619.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114335194A | 公開(公告)日 | 2022-04-12 |
申請公布號 | CN114335194A | 申請公布日 | 2022-04-12 |
分類號 | H01L29/872(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王新強(qiáng);王琦;梁智文 | 申請(專利權(quán))人 | 北京大學(xué)東莞光電研究院 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 俱玉云 |
地址 | 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路17號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種超薄氮化鎵肖特基二極管材料結(jié)構(gòu),包括襯底材料層、氮化鋁薄膜層、N型氮化鎵薄膜層、金屬歐姆接觸層和金屬肖特基接觸層;其中所述襯底材料層頂側(cè)設(shè)置有氮化鋁薄膜層,所述氮化鋁薄膜層頂側(cè)設(shè)置有N型氮化鎵薄膜層,所述N型氮化鎵薄膜層右端頂側(cè)設(shè)置有金屬歐姆接觸層,與其對應(yīng)的所述N型氮化鎵薄膜層左端頂側(cè)設(shè)置有金屬肖特基接觸層。該種超薄氮化鎵肖特基二極管材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)新穎、結(jié)構(gòu)簡單,解決現(xiàn)有氮化鎵上材料器件可靠性問題,可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量高耐壓肖特基二極管,可以有效避免傳統(tǒng)器件材料的緩沖層及摻雜層,直接通過氮化薄膜鋁層把器件功能層與襯底材料層結(jié)合在一起,實(shí)現(xiàn)低成本,低應(yīng)力,高均勻性的器件材料。 |
