一種金剛石上生長(zhǎng)氮化物的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111630538.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114334611A 公開（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114334611A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新強(qiáng);王琦;梁智文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京大學(xué)東莞光電研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 俱玉云
地址 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路17號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種金剛石上生長(zhǎng)氮化物的方法，所述金剛石上生長(zhǎng)氮化物的方法包括如下步驟：制備一組金剛石單晶襯底和三組金剛石多晶拋光襯底，在其中一組金剛石單晶襯底上制備氮化鎵/石墨烯/金剛石的材料，在另三組金剛石多晶拋光襯底上制備氮化鎵/硫化鉬/金剛石的材料。本申請(qǐng)解決氮化物直接在金剛石上生長(zhǎng)遇到的晶格失配及應(yīng)力失配問題，通過本申請(qǐng)，可以實(shí)現(xiàn)直接在金剛石上生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化物外延材料。